2N3879 Microchip Technology
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1662.91 грн |
| 100+ | 1522.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3879 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 4mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 7 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V, Power - Max: 35 W.
Інші пропозиції 2N3879
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3879 |
 00+ |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
2N3879 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 75V 7A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товар відсутній |
|
|
|
2N3879 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 75V 7A 35000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товар відсутній |
|
 |
2N3879 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 4mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 35 W |
товар відсутній |