2N3904TAR ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4602+ | 3.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4602 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3904TAR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N3904TAR за ціною від 3.22 грн до 22.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N3904TAR | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 116000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N3904TAR | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N3904TAR | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N3904TAR | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 3099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N3904TAR | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 3099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N3904TAR | onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 1216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N3904TAR | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 8542 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N3904TAR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 3.39 грн |
| 4000+ | 3.25 грн |
| 10000+ | 3.22 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 4.58 грн |
| 4000+ | 3.95 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2168+ | 6.83 грн |
| 6000+ | 6.77 грн |
| 10000+ | 6.71 грн |
| 26000+ | 6.45 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1566+ | 9.46 грн |
| 1620+ | 9.14 грн |
| 2078+ | 7.13 грн |
| 2971+ | 4.81 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 3099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 20.07 грн |
| 57+ | 13.89 грн |
| 58+ | 13.75 грн |
| 100+ | 9.12 грн |
| 250+ | 8.16 грн |
| 500+ | 6.11 грн |
| 1000+ | 4.27 грн |
| 3000+ | 3.34 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.85 грн |
| 26+ | 12.28 грн |
| 100+ | 7.63 грн |
| 500+ | 5.27 грн |
| 1000+ | 4.66 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 8542 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 22.09 грн |
| 24+ | 13.47 грн |
| 100+ | 7.30 грн |
| 500+ | 5.40 грн |
| 1000+ | 4.79 грн |
| 2000+ | 3.80 грн |
| 4000+ | 3.50 грн |
| 2N3904TAR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N3904TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)