2N3906TFR ON Semiconductor


pzt3906-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 66000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+3.17 грн
4000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N3906TFR ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N3906TFR за ціною від 2.89 грн до 20.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N3906TFR 2N3906TFR ON Semiconductor pzt3906-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+3.17 грн
4505+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR 2N3906TFR onsemi pzt3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.82 грн
4000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR 2N3906TFR onsemi pzt3906-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.03 грн
28+11.07 грн
100+6.89 грн
500+4.76 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR 2N3906TFR onsemi pzt3906-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 19932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.82 грн
28+11.92 грн
100+6.48 грн
500+4.79 грн
1000+4.16 грн
2000+3.24 грн
4000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR 2N3906TFR ONSEMI ONSM-S-A0013274765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.64 грн
66+12.58 грн
101+8.17 грн
500+6.15 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR pzt3906-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4465+3.17 грн
4505+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR pzt3906-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+3.82 грн
4000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR pzt3906-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.03 грн
28+11.07 грн
100+6.89 грн
500+4.76 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR pzt3906-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 19932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.82 грн
28+11.92 грн
100+6.48 грн
500+4.79 грн
1000+4.16 грн
2000+3.24 грн
4000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N3906TFR ONSM-S-A0013274765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+20.64 грн
66+12.58 грн
101+8.17 грн
500+6.15 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.