2N3906TFR ON Semiconductor
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 2.28 грн |
| 10000+ | 2.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3906TFR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N3906TFR за ціною від 2.07 грн до 13.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3906TFR | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N3906TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 5472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 12488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |