2N3906TFR ON Semiconductor
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4399+ | 2.87 грн |
| 4492+ | 2.81 грн |
| 6000+ | 2.62 грн |
| 10000+ | 2.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3906TFR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N3906TFR за ціною від 2.40 грн до 13.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 10761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N3906TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2N3906TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
2N3906TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
2N3906TFR | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |