Технічний опис 2N3999 MOTOROLA
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-59, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2N3999
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N3999 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 80V 5A 4-Pin TO-111 |
товару немає в наявності |
|
| 2N3999 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |
||
| 2N3999 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |