2N4058 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4058 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 500µA, 10mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N4058 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4058 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4058 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA
Bipolar Transistors - BJT 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.