2N4123 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Tape & Box (TB)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4123 APM TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 30V 200MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Tape & Box (TB).
Інші пропозиції 2N4123 APM TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4123 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4123 APM TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
Bipolar Transistors - BJT 30V,200mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.