Технічний опис 2N4124G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N4124G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4124G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box |
товару немає в наявності |
|
| 2N4124G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Box |
товару немає в наявності |
||
,TO-226_straightlead.jpg "2N4124G") |
2N4124G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |
|
 |
2N4124G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 30V NPN |
товару немає в наявності |