Технічний опис 2N4234L MOTOROLA
Description: POWER BJT, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N4234L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4234L | Microchip Technology |
Description: POWER BJT Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4234L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40 V Long-Lead PNP Power BJT THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4234L |
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Description: POWER BJT
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N4234L |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 40 V Long-Lead PNP Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 40 V Long-Lead PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.