Технічний опис 2N4239 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V, Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N4239
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4239 | Виробник : MOTOROLA | CAN-3 |
на замовлення 130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N4239 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N4239 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
|
|
2N4239 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|
 |
2N4239 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|
| 2N4239 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
||
| 2N4239 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |