Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > 2N4399
2N4399

2N4399 Microchip Technology

2N4399-2N5745-MIL-PRF-19500-433.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 30A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4212.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4399 Microchip Technology

Description: TRANS PNP 60V 30A TO204AA, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V, Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 5 W.

Інші пропозиції 2N4399

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N4399 Microchip Technology 2N4399_2N5745_MIL_PRF_19500_433.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 onsemi / Fairchild 2N4399-2N5745-MIL-PRF-19500-433.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2N4399 STMicroelectronics 2N4399-2N5745-MIL-PRF-19500-433.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2N4399 NTE ELECTRONICS NTEE-S-A0005241827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NTE ELECTRONICS - 2N4399 - SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2N4399 Microchip Technology 2n4399-2n5745-mil-prf-19500-433.pdf Trans GP BJT PNP 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2N4399_2N5745_MIL_PRF_19500_433.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2N4399-2N5745-MIL-PRF-19500-433.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2N4399-2N5745-MIL-PRF-19500-433.pdf
2N4399
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 NTEE-S-A0005241827-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4399
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - 2N4399 - SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4399 2n4399-2n5745-mil-prf-19500-433.pdf
2N4399
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 60V 30A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.