2N4401BU ON Semiconductor
на замовлення 47356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8747+ | 3.51 грн |
| 10000+ | 3.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4401BU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N4401BU за ціною від 2.21 грн до 18.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 104153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 56462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 33420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N4401BU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Case: TO92 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT |
на замовлення 8872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Case: TO92 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8872 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 33420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N4401BU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 22537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N4401BU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 22253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| 2N4401BU | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3 |
на замовлення 231 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
2N4401BU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
2N4401BU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |