2N4401TAR ON Semiconductor
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4519+ | 2.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4401TAR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N4401TAR за ціною від 2.01 грн до 14.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4401TAR | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4401TAR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4401TAR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4401TAR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 76962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4401TAR | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
на замовлення 7888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4401TAR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4401TAR | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 250MHz |
товару немає в наявності |