Технічний опис 2N4402 PBFREE Central Semiconductor
Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N4402 PBFREE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N4402 PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Box |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
2N4402 PBFREE | Central Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4402 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
Description: 40V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-SM
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Box
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N4402 PBFREE |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.