2N4403BU Fairchild Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5430+ | 4.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5430 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4403BU Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N4403BU за ціною від 3.16 грн до 20.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 31765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 32804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
2N4403BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2522+ | 5.62 грн |
| 2547+ | 5.57 грн |
| 2679+ | 5.29 грн |
| 2942+ | 4.65 грн |
| 5000+ | 3.88 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2171+ | 6.53 грн |
| 5000+ | 4.71 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.18 грн |
| 82+ | 9.26 грн |
| 135+ | 5.62 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| 1000+ | 4.72 грн |
| 2000+ | 4.13 грн |
| 5000+ | 3.73 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 31765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.73 грн |
| 25+ | 12.20 грн |
| 100+ | 7.59 грн |
| 500+ | 5.24 грн |
| 1000+ | 4.63 грн |
| 2000+ | 4.12 грн |
| 5000+ | 3.50 грн |
| 10000+ | 3.16 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 32804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







