Технічний опис 2N4403BU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції 2N4403BU за ціною від 2.72 грн до 17.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 10132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 10837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 27474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 66264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 9397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
2N4403BU | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 36736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N4403BU | ONN |
|
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 197+ | 3.84 грн |
| 199+ | 3.80 грн |
| 242+ | 3.12 грн |
| 500+ | 2.98 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 10837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8175+ | 4.33 грн |
| 10000+ | 3.86 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 27474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8175+ | 4.33 грн |
| 10000+ | 3.86 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 66264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8175+ | 4.33 грн |
| 10000+ | 3.86 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1643+ | 8.61 грн |
| 5000+ | 7.65 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N4403BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 10.37 грн |
| 115+ | 7.05 грн |
| 146+ | 5.53 грн |
| 500+ | 3.92 грн |
| 1000+ | 3.32 грн |
| 5000+ | 2.73 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 9397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.55 грн |
| 32+ | 9.98 грн |
| 100+ | 5.79 грн |
| 500+ | 4.41 грн |
| 1000+ | 3.58 грн |
| 2N4403BU |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 36736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.82 грн |
| 28+ | 10.67 грн |
| 100+ | 6.66 грн |
| 500+ | 4.60 грн |
| 1000+ | 4.06 грн |
| 2000+ | 3.61 грн |
| 5000+ | 3.07 грн |
| 10000+ | 2.77 грн |






