2N4403G ON Semiconductor


2N4403-D.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 40, Ic = 600 мА, ft, МГц = 200, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 2781 шт:

термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4403G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO92, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N4403G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N4403G 2N4403G Виробник : onsemi 2n4403-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4403G 2N4403G Виробник : onsemi 2N4403_D-1801550.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.