2N4403TFR ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4919+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4403TFR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4403TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Dauerkollektorstrom: 999mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції 2N4403TFR за ціною від 2.31 грн до 19.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 8155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4403TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4403TFR | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
на замовлення 7563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4403TFR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4403TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 999mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4403TFR | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 8494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N4403TFR | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
2N4403TFR | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Mounting: THT Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: TO92 Formed Power dissipation: 0.625W |
товару немає в наявності |