2N4416A TIN/LEAD

2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor


CSEM_S_A0008618025_1-2539242.pdf Виробник: Central Semiconductor
JFETs N-Ch 35Vgd 35Vgs 35Vds 10mA 300mW
на замовлення 1309 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.99 грн
10+406.84 грн
25+319.33 грн
100+283.45 грн
2000+240.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor

Description: 2.5V 6V 10MA 300MW TH JFET N CHA, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V, Supplier Device Package: TO-72, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V.

Інші пропозиції 2N4416A TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N4416A TIN/LEAD Виробник : Central Semiconductor Through-Hole JFET N Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4416A TIN/LEAD 2N4416A TIN/LEAD Виробник : Central Semiconductor Corp Description: 2.5V 6V 10MA 300MW TH JFET N CHA
Packaging: Box
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-72
Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.