
2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 539.99 грн |
10+ | 406.84 грн |
25+ | 319.33 грн |
100+ | 283.45 грн |
2000+ | 240.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4416A TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 2.5V 6V 10MA 300MW TH JFET N CHA, Packaging: Box, Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V, Supplier Device Package: TO-72, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V.
Інші пропозиції 2N4416A TIN/LEAD
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2N4416A TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor | Through-Hole JFET N Channel |
товару немає в наявності |
||
![]() |
2N4416A TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 2.5V 6V 10MA 300MW TH JFET N CHA Packaging: Box Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-72 Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Power - Max: 300 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2.5 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 mA @ 15 V |
товару немає в наявності |