Технічний опис 2N4449 RAY
Description: TRANS NPN 20V TO46, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB), Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 360 mW.
Інші пропозиції 2N4449
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4449 | Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 20V TO46Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |
| 2N4449 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4449 |
|
Виробник: Microchip Technology
Description: TRANS NPN 20V TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 360 mW
Description: TRANS NPN 20V TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N4449 |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.