2N4449UA Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Supplier Device Package: UA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4449UA Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Power - Max: 500 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Supplier Device Package: UA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N4449UA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N4449UA | Microchip Technology |
 Bipolar Transistors - BJT 20V 360mW NPN Small-Signal BJT SMT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4449UA |
|
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 20V 360mW NPN Small-Signal BJT SMT
Bipolar Transistors - BJT 20V 360mW NPN Small-Signal BJT SMT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.