2N4449UB/TR Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: UB
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2043.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4449UB/TR Microchip Technology
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 400nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V, Supplier Device Package: UB, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2N4449UB/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N4449UB/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
|
| 2N4449UB/TR | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |