2N4860 Solid State Inc.
Виробник: Solid State Inc.
Description: JFET N-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Description: JFET N-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 300 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 216.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4860 Solid State Inc.
Description: JFET N-CH 30V TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: TO-18, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 360 mW, Resistance - RDS(On): 40 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 mA @ 15 V.
Інші пропозиції 2N4860
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N4860 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2N4860 | Виробник : MOTOROLA |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
2N4860 | Виробник : Microchip Technology |
Description: JFET N-CH 30V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 360 mW Resistance - RDS(On): 40 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 mA @ 15 V |
товар відсутній |
||
2N4860 | Виробник : InterFET | JFET JFET N-Channel -30V Low Noise |
товар відсутній |