2N4918G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 34.08 грн |
| 23+ | 32.72 грн |
| 100+ | 29.58 грн |
| 250+ | 27.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4918G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10, DC-Stromverstärkung hFE: 10, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 30, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції 2N4918G за ціною від 19.88 грн до 62.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
.JPG "2N4918G") |
2N4918G | onsemi |
 Description: TRANS PNP 40V 1A TO126 |
на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
2N4918G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP |
на замовлення 1539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
2N4918G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10 DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 30 Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
2N4918G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N4918G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 1A TO126
Description: TRANS PNP 40V 1A TO126
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.35 грн |
| 10+ | 52.63 грн |
| 100+ | 40.37 грн |
| 500+ | 29.94 грн |
| 1000+ | 23.96 грн |
| 2000+ | 21.71 грн |
| 5000+ | 19.88 грн |
| 2N4918G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 30W PNP
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N4918G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - 2N4918G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N4918G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 40V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)