Продукція > ONSEMI > 2N4919G
2N4919G

2N4919G onsemi

2N4918-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 32188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
649+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4919G onsemi

Description: TRANS PNP 60V 1A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції 2N4919G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N4919G 2N4919G onsemi 2N4918_D-2309311.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G 2N4919G ONSEMI 2355583.pdf Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G ON Semiconductor 2N4918-D.PDF
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G 2N4918_D-2309311.pdf
2N4919G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W PNP
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G 2355583.pdf
2N4919G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4919G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4919G 2N4918-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.