Продукція > ONSEMI > 2N4920G
2N4920G

2N4920G onsemi

2N4918-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 17678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
634+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 634 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4920G onsemi

Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції 2N4920G за ціною від 69.50 грн до 69.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N4920G 2N4920G ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920G 2N4920G onsemi 2N4918_D-1801506.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920G 2N4920G ONSEMI ONSM-S-A0013579370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920G 2n4918-d.pdf
2N4920G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920G 2N4918_D-1801506.pdf
2N4920G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4920G ONSM-S-A0013579370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4920G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.