2N4920G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1140+ | 26.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4920G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N4920G за ціною від 26.77 грн до 96.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N4920G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2N4920G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2N4920G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2N4920G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2N4920G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 1A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2N4920G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
2N4920G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
2N4920G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
2N4920G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |