
2N4922G ON Semiconductor
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 24.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4922G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N4922G за ціною від 18.76 грн до 97.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 30...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 30W Case: TO225 Current gain: 30...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 10308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 5535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
2N4922G | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |