2N4922G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 60V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 10308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.42 грн |
| 10+ | 58.49 грн |
| 100+ | 38.67 грн |
| 500+ | 28.31 грн |
| 1000+ | 25.74 грн |
| 2000+ | 23.58 грн |
| 5000+ | 20.89 грн |
| 10000+ | 19.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4922G onsemi
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N4922G за ціною від 22.40 грн до 110.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N4922G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
2N4922G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN |
на замовлення 4048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2N4922G | Виробник : ONSEMI |
2N4922G NPN THT transistors |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
2N4922G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |

