Продукція > NTE ELECTRONICS, INC. > 2N4923

2N4923 NTE Electronics, Inc.

312n4923.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc.
Silicon NPN Transistor High Voltage
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+132.25 грн
103+126.20 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N4923 NTE Electronics, Inc.

Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-126, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.

Інші пропозиції 2N4923

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N4923 Виробник : On Semiconductor 2n4921-d.pdf NPN 80V 3A TO-126
на замовлення 58 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923
Код товару: 153719
Додати до обраних Обраний товар

2n4921-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923 2N4923 Виробник : STMicroelectronics 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923 2N4923 Виробник : onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923 2N4923 Виробник : STMicroelectronics 2n4921-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923 2N4923 Виробник : onsemi 2N4921_D-2309376.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4923 Виробник : ROHM Semiconductor 2n4921-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.