2N4923G ON Semiconductor
на замовлення 2125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 838+ | 37.20 грн |
| 1000+ | 34.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N4923G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N4923G за ціною від 21.97 грн до 103.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N4923G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4923G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4923G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4923G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4923G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N4923G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N4923G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2N4923G | Виробник : ONSEMI |
2N4923G NPN THT transistors |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2N4923G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2N4923G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
товару немає в наявності |