Технічний опис 2N4953 MOTOROLA
Description: TRANS NPN 30V 1A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-92-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N4953
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N4953 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 1A TO-92-3Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
|
|
2N4953 | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose |
товару немає в наявності |
|
| 2N4953 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |


