Технічний опис 2N5066 MOT
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-46-3 Lens Top Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 1nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1mA, 6V, Supplier Device Package: TO-46, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції 2N5066
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5066 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
2N5066 | Виробник : Microchip Technology |
Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-46-3 Lens Top Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 1nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1mA, 6V Supplier Device Package: TO-46 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
||
2N5066 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товару немає в наявності |