2N5086 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-92-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V
Packaging: Box
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5086 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: 50V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Supplier Device Package: TO-92-3, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Power - Max: 1.5 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Frequency - Transition: 40MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V, Packaging: Box.
Інші пропозиції 2N5086 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5086 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5086 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
Bipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.