
2N5089 TIN/LEAD Central Semiconductor
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.67 грн |
10+ | 36.38 грн |
100+ | 23.66 грн |
500+ | 18.58 грн |
1000+ | 14.37 грн |
2500+ | 13.13 грн |
10000+ | 11.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5089 TIN/LEAD Central Semiconductor
Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA, Packaging: Box, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5089 TIN/LEAD
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5089 TIN/LEAD | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 25V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |