Технічний опис 2N5115UB Microchip Technology
Description: JFET P-CH 30V UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Power - Max: 500 mW, Resistance - RDS(On): 100 Ohms, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V, Qualification: MIL-PRF-19500.
Інші пропозиції 2N5115UB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N5115UB | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: P-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: UB Grade: Military Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 500 mW Resistance - RDS(On): 100 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 1 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60 mA @ 15 V Qualification: MIL-PRF-19500 |
товару немає в наявності |
|
2N5115UB | Виробник : Microchip / Microsemi |
![]() |
товару немає в наявності |
||
2N5115UB | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |