2N5153U3

2N5153U3 Microchip Technology


2n5151-2n5153-lds-0131-mil-prf-19500-545.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5153U3 Microchip Technology

Description: TRANS PNP 80V 2A U3, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V, Supplier Device Package: U3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.16 W.

Інші пропозиції 2N5153U3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5153U3 2N5153U3 Виробник : Microchip Technology lds-0132.pdf Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153U3 2N5153U3 Виробник : Microchip Technology Description: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5153U3 2N5153U3 Виробник : Microchip Technology 2N5151_2N5153_LDS_0131_MIL_PRF_19500_545-3442194.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.