2N5154S1 STMicroelectronics
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12111.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5154S1 STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 5A SMD5, Packaging: Strip, Package / Case: TO-276AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V, Supplier Device Package: SMD5, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 35 W.
Інші пропозиції 2N5154S1 за ціною від 12127.28 грн до 16237.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5154S1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: TRANS NPN 80V 5A SMD5Packaging: Strip Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: SMD5 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 35 W |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5154S1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5154S1 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5154S1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R |
товару немає в наявності |