Технічний опис 2N5154S1 STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 5A SMD5, Power - Max: 35 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: SMD5, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-276AA, Packaging: Strip.
Інші пропозиції 2N5154S1 за ціною від 15122.42 грн до 15122.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5154S1 | STMicroelectronics |
 Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
2N5154S1 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5154S1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15122.42 грн |
| 2N5154S1 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
Bipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)