Продукція > ONSEMI > 2N5190G
2N5190G

2N5190G onsemi

2N5191-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
551+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 551 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 551 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5190G onsemi

Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 2N5190G за ціною від 21.89 грн до 103.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5190G 2N5190G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.43 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G onsemi 2N5191-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+103.52 грн
10+64.54 грн
100+37.27 грн
500+34.90 грн
1000+29.13 грн
2000+24.33 грн
6000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G ONSEMI 1911601.pdf Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2n5191-d.pdf
2N5190G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+51.43 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5191-D.PDF
2N5190G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.52 грн
10+64.54 грн
100+37.27 грн
500+34.90 грн
1000+29.13 грн
2000+24.33 грн
6000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 1911601.pdf
2N5190G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.