Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5190G
2N5190G

2N5190G ON Semiconductor

2n5191-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+52.81 грн
1000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5190G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 2N5190G за ціною від 24.13 грн до 100.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5190G 2N5190G Виробник : ONSEMI 1911601.pdf Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.24 грн
15+60.74 грн
100+42.23 грн
500+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G Виробник : onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 4538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.13 грн
10+60.22 грн
100+39.96 грн
500+29.32 грн
1000+26.69 грн
2000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G Виробник : onsemi 2N5191-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.68 грн
10+58.58 грн
100+39.25 грн
500+30.70 грн
1000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G 2N5190G Виробник : ON Semiconductor 37332n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5190G Виробник : ONSEMI 2n5191-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 25...100
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.