2N5191G ON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 27.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 20.75 грн до 94.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5191G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN |
на замовлення 18128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5191G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 11206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2N5191G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 6508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2N5191G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| 2N5191G | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |