Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5191G
2N5191G

2N5191G ON Semiconductor

2n5191-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+36.57 грн
18+33.72 грн
25+33.58 грн
100+29.07 грн
250+26.75 грн
500+22.70 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 23.54 грн до 102.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+37.18 грн
1000+36.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
310+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 310
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+54.22 грн
14+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : onsemi 2N5191_D-2309067.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 38279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.68 грн
10+53.13 грн
100+35.31 грн
500+28.25 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
196+62.36 грн
199+61.56 грн
268+45.62 грн
272+43.33 грн
500+30.18 грн
1000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+76.28 грн
11+57.91 грн
25+57.16 грн
100+40.85 грн
250+37.25 грн
500+26.90 грн
1000+23.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.18 грн
14+62.14 грн
100+46.05 грн
500+32.19 грн
1000+25.04 грн
5000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+62.38 грн
100+41.40 грн
500+30.37 грн
1000+27.64 грн
2000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 25...100
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G Виробник : ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 25...100
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.