Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5191G
2N5191G

2N5191G ON Semiconductor

2n5191-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+31.76 грн
25+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 20.41 грн до 96.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.33 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
283+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.54 грн
16+50.10 грн
100+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+56.61 грн
100+37.57 грн
500+27.56 грн
1000+25.09 грн
2000+23.00 грн
5000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
13+67.01 грн
100+45.10 грн
500+32.61 грн
1000+28.10 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G onsemi 2n5191-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 11133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.65 грн
10+60.18 грн
100+34.79 грн
500+27.13 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G ONN 2n5191-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
447+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+42.33 грн
1000+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
283+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+57.54 грн
16+50.10 грн
100+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.20 грн
10+56.61 грн
100+37.57 грн
500+27.56 грн
1000+25.09 грн
2000+23.00 грн
5000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5191G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 10048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.84 грн
13+67.01 грн
100+45.10 грн
500+32.61 грн
1000+28.10 грн
5000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 11133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+96.65 грн
10+60.18 грн
100+34.79 грн
500+27.13 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.