Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5191G
2N5191G

2N5191G ON Semiconductor

2n5191-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
942+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 942 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5191G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-225AA, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2N5191G за ціною від 13.27 грн до 115.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.42 грн
51+15.29 грн
100+15.09 грн
500+14.39 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.33 грн
1000+42.50 грн
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+81.83 грн
259+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G onsemi 2N5191-D.PDF Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.16 грн
10+61.73 грн
100+40.94 грн
500+30.03 грн
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G onsemi 2N5191-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+103.52 грн
10+64.54 грн
100+37.27 грн
500+29.06 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.89 грн
10+81.83 грн
100+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.42 грн
51+15.29 грн
100+15.09 грн
500+14.39 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+51.33 грн
1000+42.50 грн
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+81.83 грн
259+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191-D.PDF
2N5191G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.16 грн
10+61.73 грн
100+40.94 грн
500+30.03 грн
1000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2N5191-D.PDF
2N5191G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.52 грн
10+64.54 грн
100+37.27 грн
500+29.06 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G 2n5191-d.pdf
2N5191G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.89 грн
10+81.83 грн
100+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5191G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5191G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225AA
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.