Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > 2N5192G

2N5192G

2N5191-D.PDF
Код товару: 178450
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції 2N5192G за ціною від 26.56 грн до 121.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.90 грн
22+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+56.72 грн
1000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G ONSEMI 2N5191.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.60 грн
10+56.71 грн
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.88 грн
10+68.16 грн
100+45.36 грн
500+33.40 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G onsemi 2N5191-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+121.13 грн
10+75.88 грн
100+43.79 грн
500+34.31 грн
1000+28.74 грн
6000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2n5191-d.pdf
2N5192G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+39.90 грн
22+36.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2n5191-d.pdf
2N5192G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+56.72 грн
1000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5191.PDF
2N5192G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+89.60 грн
10+56.71 грн
20+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5191-D.PDF
2N5192G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.88 грн
10+68.16 грн
100+45.36 грн
500+33.40 грн
1000+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5191-D.PDF
2N5192G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.13 грн
10+75.88 грн
100+43.79 грн
500+34.31 грн
1000+28.74 грн
6000+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5192G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2n5191-d.pdf
2N5192G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.