Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N5192G за ціною від 25.16 грн до 100.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5192G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5192G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO225 Collector current: 4A Power dissipation: 40W Current gain: 20...80 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 2MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2N5192G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
на замовлення 3112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5192G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 29.31 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 50.47 грн |
| 100+ | 44.92 грн |
| 500+ | 34.92 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 20...80
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO225
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Current gain: 20...80
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 2MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 54.47 грн |
| 11+ | 38.14 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 54.69 грн |
| 1000+ | 47.81 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.45 грн |
| 10+ | 65.27 грн |
| 100+ | 37.82 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.74 грн |
| 10+ | 61.34 грн |
| 100+ | 40.83 грн |
| 500+ | 30.06 грн |
| 1000+ | 27.40 грн |
| 2000+ | 25.16 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






