Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N5192G за ціною від 23.07 грн до 104.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5192G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 20...80 Kind of package: bulk Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
на замовлення 405 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5192G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN |
на замовлення 5351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N5192G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
2N5192G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
на замовлення 3092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
2N5192G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.24 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.97 грн |
| 11+ | 38.32 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 68.41 грн |
| 1000+ | 64.09 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.02 грн |
| 10+ | 63.26 грн |
| 100+ | 42.10 грн |
| 500+ | 31.00 грн |
| 1000+ | 28.26 грн |
| 2000+ | 25.95 грн |
| 5000+ | 23.07 грн |
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 3092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N5192G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






