2N5192G

2N5192G ON Semiconductor


2n5191-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+51.88 грн
1000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5192G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N5192G за ціною від 26.57 грн до 107.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5192G 2N5192G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AC310A89FE0C7&compId=2N5191.PDF?ci_sign=9a3645f5557e236005ac1c80d242e0637f4fa76f Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.44 грн
10+48.52 грн
24+39.22 грн
64+37.05 грн
100+36.82 грн
250+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABC9AC310A89FE0C7&compId=2N5191.PDF?ci_sign=9a3645f5557e236005ac1c80d242e0637f4fa76f Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.13 грн
10+60.47 грн
24+47.07 грн
64+44.46 грн
100+44.18 грн
250+42.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013776772-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.49 грн
14+63.69 грн
100+48.25 грн
500+37.98 грн
1000+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : onsemi 2N5191_D-1801554.pdf Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.23 грн
10+65.12 грн
100+42.94 грн
500+36.31 грн
1000+29.62 грн
2000+27.83 грн
6000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : onsemi 2n5191-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.86 грн
10+65.27 грн
100+43.47 грн
500+32.00 грн
1000+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G
Код товару: 178450
Додати до обраних Обраний товар

2n5191-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : ON Semiconductor 2n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5192G 2N5192G Виробник : ON Semiconductor 37332n5191-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.