 
2N5195G ON Semiconductor
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 32+ | 22.14 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5195G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції 2N5195G за ціною від 23.06 грн до 103.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 3500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1950 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 43 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1356 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO225 Collector current: 4A Power dissipation: 40W Current gain: 20...80 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 2MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk | на замовлення 324 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : onsemi |  Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP | на замовлення 2911 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| 2N5195G Код товару: 154610 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ONSEMI |  Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO225 Collector current: 4A Power dissipation: 40W Current gain: 20...80 Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 2MHz Polarisation: bipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 324 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2228 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : onsemi |  Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | на замовлення 4547 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1356 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 43 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1950 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
|   | 2N5195G | Виробник : ON Semiconductor |  Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності |