Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 2N5195G за ціною від 23.13 грн до 125.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 20...80 Kind of package: bulk Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector current: 4A |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5195G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
2N5195G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N5195G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 23.13 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 27.77 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1950+ | 31.60 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 31.76 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO225
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 80V
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 20...80
Kind of package: bulk
Case: TO225
Frequency: 2MHz
Collector current: 4A
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 42.01 грн |
| 11+ | 38.74 грн |
| 50+ | 35.48 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 42.97 грн |
| 1000+ | 40.44 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 178+ | 79.32 грн |
| 451+ | 31.36 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS PNP 80V 4A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.98 грн |
| 10+ | 59.27 грн |
| 100+ | 39.32 грн |
| 500+ | 28.87 грн |
| 1000+ | 26.29 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 125.85 грн |
| 10+ | 79.32 грн |
| 100+ | 31.36 грн |
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2N5195G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-225
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W PNP
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N5195G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






