2N5291 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: POWER BJT
Power - Max: 116 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5291 Microchip Technology
Description: POWER BJT, Power - Max: 116 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-61, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Stud Mount, Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N5291
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5291 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5291 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.