2N5301 NTE Electronics, Inc


2N5301_03.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.60 грн
10+303.50 грн
20+287.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5301 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 40V 30A TO3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA.

Інші пропозиції 2N5301

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5301 Microchip Technology 2N5301_03.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 Microsemi 2N5302-597956.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 2N5301 MULTICOMP 1702578.pdf Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 2N5301_03.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 2N5302-597956.pdf
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 1702578.pdf
Виробник: MULTICOMP
Description: MULTICOMP - 2N5301 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 200 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
MSL: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.