2N5301

2N5301 NTE Electronics, Inc


2N5301_03.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+306.2 грн
10+ 280.26 грн
20+ 265.65 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5301 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 40V 30A TO3, Packaging: Bag, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції 2N5301

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5301 Виробник : Microsemi 2N5302-597956.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5301 Виробник : Microchip Technology 2N5301_03.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній