2N5301 NTE Electronics, Inc


2N5301_03.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 40V 30A TO3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bag
Power - Max: 200 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3
Frequency - Transition: 2MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+329.29 грн
10+301.39 грн
20+285.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5301 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 40V 30A TO3, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Bag, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA.

Інші пропозиції 2N5301

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N5301 Microchip Technology 2N5301_03.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 Microsemi 2N5302-597956.pdf Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 2N5301_03.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5301 2N5302-597956.pdf
Виробник: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.