Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5302G
2N5302G

2N5302G ON Semiconductor

2n5302-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+500.98 грн
100+480.98 грн
500+460.99 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5302G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 30A TO204, Frequency - Transition: 2MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Packaging: Tray, Power - Max: 200 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3).

Інші пропозиції 2N5302G за ціною від 460.99 грн до 500.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5302G 2N5302G ON Semiconductor 2n5302-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+500.98 грн
100+480.98 грн
500+460.99 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G ONSEMI 112490.pdf Description: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G onsemi 2N5302_D-2309880.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2n5302-d.pdf
2N5302G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+500.98 грн
100+480.98 грн
500+460.99 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 112490.pdf
2N5302G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5302G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 30 A, 200 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302_D-2309880.pdf
2N5302G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.