Продукція > ONSEMI > 2N5302G
2N5302G

2N5302G onsemi

2n5302-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 30A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+341.54 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5302G onsemi

Description: TRANS NPN 60V 30A TO204, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V, Frequency - Transition: 2MHz, Supplier Device Package: TO-204 (TO-3), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції 2N5302G за ціною від 397.61 грн до 432.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5302G 2N5302G Виробник : ON Semiconductor 2n5302-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+432.09 грн
100+414.85 грн
500+397.61 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G Виробник : ON Semiconductor 2n5302-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+432.09 грн
100+414.85 грн
500+397.61 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G Виробник : onsemi 2N5302_D-2309880.pdf Bipolar Transistors - BJT 30A 60V 200W NPN
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G Виробник : ON Semiconductor 2n5302-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5302G 2N5302G Виробник : onsemi 2n5302-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 30A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.