2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.63 грн |
| 10+ | 51.82 грн |
| 100+ | 34.03 грн |
| 500+ | 24.75 грн |
| 1000+ | 22.44 грн |
| 2500+ | 19.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 60MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN - Darlington, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N5306 TIN/LEAD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5306 TIN/LEAD | Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5306 TIN/LEAD |
|
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW
Bipolar Transistors - BJT NPN 25Vcbo 25Vceo 12Vebo 300mA 625mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.