Інші пропозиції 2N5320 за ціною від 106.75 грн до 276.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N5320 | Виробник : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5320 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 10 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N5320 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
2N5320 | Виробник : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 Box |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| 2N5320 | Виробник : Central Semiconductor Corp. |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 10, Uceo, В = 75, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 500 мA, 4 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-39-3 Од. кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
2N5320 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 75V 2A TO-39Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
2N5320 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 75V 2A TO-5AAPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| 2N5320 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Custom |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| 2N5320 | Виробник : onsemi |
|
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
2N5320 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| 2N5320 | Виробник : Welwyn Components / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |






