2N5323 Microchip Technology


2n5322.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2402.33 грн
2+584.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5323 Microchip Technology

Description: MULTICOMP PRO - 2N5323 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-39, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N5323

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2N5323 2N5323 MULTICOMP PRO 2N5, FTSO5, MPS5.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5323 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5323 2N5323 Microchip Technology 2n5322.pdf Trans GP BJT PNP 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5323 2N5, FTSO5, MPS5.pdf
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5323 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5323 2n5322.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT PNP 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-5
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.