2N5339 Microchip Technology
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 4519.66 грн |
| 5+ | 4362.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5339 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N5339
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
2N5339 | Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2N5339 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
2N5339 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
|
2N5339 | Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| 2N5339 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5339 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5339 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N5339 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.





