Технічний опис 2N5339 MOTOROLA
Description: NPN TRANSISTOR, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N5339
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5339 | Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N5339 |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


