2N5339 Microchip Technology
Виробник:
Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|
| 4+ | 4363.81 грн |
| 5+ | 4212.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5339 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Supplier Device Package: TO-39, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції 2N5339
| Фото |
Назва |
Виробник |
Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|
|
2N5339 |
MOTOROLA |
|
на замовлення 5680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику
од. на суму грн.
|
|
|
2N5339 |
Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику
од. на суму грн.
|
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику
од. на суму грн.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику
од. на суму грн.
