2N5339 Microchip Technology
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 3827.42 грн |
| 5+ | 3694.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5339 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 200°C, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2N5339 за ціною від 2682.10 грн до 2930.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5339 | Виробник : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
| 2N5339 | Виробник : MOT |
03+ QFP |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 2N5339 | Виробник : MOT |
CAN |
на замовлення 591 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 2N5339 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 5680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
2N5339 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||
|
2N5339 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
2N5339 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||
|
2N5339 | Виробник : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||||
|
2N5339 | Виробник : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |


