на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5401 APM PBFREE Central Semiconductor
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 1.5 W.
Інші пропозиції 2N5401 APM PBFREE за ціною від 15.76 грн до 15.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5401 APM PBFREE | Виробник : Central Semiconductor |
 Silicon PNP Transistor |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| 2N5401 APM PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W |
товару немає в наявності |
||||||
| 2N5401 APM PBFREE | Виробник : Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 150V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP High Voltage |
товару немає в наявності |