
2N5401 APP PBFREE Central Semiconductor
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 49.78 грн |
10+ | 41.88 грн |
100+ | 27.22 грн |
500+ | 21.41 грн |
1000+ | 17.07 грн |
2000+ | 12.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N5401 APP PBFREE Central Semiconductor
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції 2N5401 APP PBFREE
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
2N5401 APP PBFREE | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 625 mW |
товару немає в наявності |