Продукція > CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP > 2N5401 TRA TIN/LEAD
2N5401 TRA TIN/LEAD

2N5401 TRA TIN/LEAD Central Semiconductor Corp

Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 625 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5401 TRA TIN/LEAD Central Semiconductor Corp

Description: 150V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5401 TRA TIN/LEAD

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5401 TRA TIN/LEAD 2N5401 TRA TIN/LEAD Виробник : Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.