2N5401YBU

2N5401YBU ON Semiconductor


2n5401-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 37955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8131+3.72 грн
10000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 8131
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5401YBU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5401YBU за ціною від 2.99 грн до 19.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8131+3.72 грн
10000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 8131
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8131+3.72 грн
10000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 8131
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1553+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 1553
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : onsemi 2N5401_Rev2.1_May2016.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 43920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.86 грн
28+11.48 грн
100+7.19 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
2000+3.90 грн
5000+3.32 грн
10000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : onsemi / Fairchild 2N5401-D.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ONSEMI 2N5401_Rev2.1_May2016.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 40...200
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.