2N5401YBU

2N5401YBU onsemi


2N5401_Rev2.1_May2016.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 205439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.83 грн
18+ 15.58 грн
100+ 7.61 грн
500+ 5.96 грн
1000+ 4.14 грн
2000+ 3.59 грн
5000+ 3.27 грн
10000+ 2.71 грн
50000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5401YBU onsemi

Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5401YBU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній