Продукція > ON SEMICONDUCTOR > 2N5401YBU
2N5401YBU

2N5401YBU ON Semiconductor

2n5401-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 37955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8131+3.78 грн
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 8131
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N5401YBU ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції 2N5401YBU за ціною від 3.02 грн до 20.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8131+3.78 грн
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 8131
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8131+3.78 грн
10000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 8131
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2728+4.51 грн
5000+4.13 грн
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 2728
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : onsemi 2N5401_Rev2.1_May2016.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 44646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.51 грн
28+11.61 грн
100+7.27 грн
500+5.02 грн
1000+4.43 грн
2000+3.94 грн
5000+3.35 грн
10000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401jp-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : ON Semiconductor 2n5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5401YBU 2N5401YBU Виробник : onsemi / Fairchild 2N5401_D-1801434.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.