Технічний опис 2N5410 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-111-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA, Supplier Device Package: TO-111, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 52 W.
Інші пропозиції 2N5410
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5410 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 80V 5A 52000mW 4-Pin TO-111 |
товару немає в наявності |
|
| 2N5410 | Виробник : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200µA, 2mA Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 52 W |
товару немає в наявності |
||
| 2N5410 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
товару немає в наявності |